1、项目名称：中宝功率MOS-D二极管研发生产基地项目

2、业主单位：南京中宝电子有限公司

3、工程地点：江宁区湖山路东兴苑中路北侧

4、工程类别、规模：项目总建筑面积124670.58㎡，地上建筑面积89428.18 ㎡ ，地下建筑面积35242.4㎡。

5、工程内容：1号楼、2号楼（A座、B座、地上停车楼）、3号楼、地下室（含人防及非人防部分）。